Method for producing substrate having pattern thereon, and resin composition for hydrofluoric acid etching applications
WO2015002221
Art A1
8. Januar 2015
Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015002221
- Aktenzeichen
- EP14819700
- Anmeldetag
- 2. Juli 2014
- Veröffentlichung
- 8. Januar 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C03C15/00C08G59/20H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nissan Chemical Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nissan Chemical Corporation
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.
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