Method of making a three-dimensional memory array with etch stop

WO2015002867 Art A1 8. Januar 2015

Anmelder: SanDisk Technologies, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015002867
Aktenzeichen: EP14742102
Anmeldetag: 30. Juni 2014
Veröffentlichung: 8. Januar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/822H01L27/06H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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