Partially Recessed Channel Core Transistors in Replacement Gate Flow

WO2015003100 Art A1 8. Januar 2015

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015003100
Aktenzeichen: EP14820569
Anmeldetag: 2. Juli 2014
Veröffentlichung: 8. Januar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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