Method for producing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

WO2015005064 Art A1 15. Januar 2015

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015005064
Aktenzeichen: EP14823827
Anmeldetag: 16. Juni 2014
Veröffentlichung: 15. Januar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C23C16/42C30B25/16H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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