Substrate for diaphragm-type resonant mems devices, diaphragm-type resonant mems device and method for manufacturing same
WO2015005193
Art A1
15. Januar 2015
Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015005193
- Aktenzeichen
- EP14822079
- Anmeldetag
- 2. Juli 2014
- Veröffentlichung
- 15. Januar 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H03H9/17B81C1/00G01C19/56G01L9/08G01P15/09H01L29/84H01L41/113H01L41/316H04R17/00H04R17/10H03H3/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJIFILM Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujifilm
Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.
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