Method of doping a polycrystalline transistor channel for vertical nand devices

WO2015006392 Art A1 15. Januar 2015

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015006392
Aktenzeichen: EP14822297
Anmeldetag: 9. Juli 2014
Veröffentlichung: 15. Januar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/788H01L21/8247H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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