Modeling method for etching yield and etching surface evolution simulation method
WO2015007237
Art A1
22. Januar 2015
Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015007237
- Aktenzeichen
- EP14825873
- Anmeldetag
- 18. Juli 2014
- Veröffentlichung
- 22. Januar 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G06F17/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tsinghua University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Tsinghua University
Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.
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