Lift-off of epitaxial layers from silicon carbide or compound semiconductor substrates

WO2015009669 Art A1 22. Januar 2015

Anmelder: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015009669
Aktenzeichen: EP14825862
Anmeldetag: 15. Juli 2014
Veröffentlichung: 22. Januar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Government of the United States of America As Represented By the Secretary of the Navy

Dieser Anmelder steht für Patente der US-Marine, angemeldet über die Regierung der Vereinigten Staaten. Das Patentportfolio deckt breit Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Optik- und Fototechnik für militärische und maritime Forschung ab. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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