Method of improving ion beam quality in an implant system

WO2015009975 Art A1 22. Januar 2015

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015009975
Aktenzeichen: EP14827128
Anmeldetag: 17. Juli 2014
Veröffentlichung: 22. Januar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

690 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von