Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing same
WO2015012017
Art A1
29. Januar 2015
Anmelder: Ushio Denki Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015012017
- Aktenzeichen
- EP14829370
- Anmeldetag
- 16. Juni 2014
- Veröffentlichung
- 29. Januar 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/32H01S5/343
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Ushio Denki Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Ushio Inc.
Japanischer Hersteller von Lichtquellen wie Speziallampen, Lasern und LED-Modulen für Industrie, Halbleiterfertigung und Optik mit Sitz in Tokio.
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Vertreten von
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