Transistor
WO2015012107
Art A1
29. Januar 2015
Anmelder: Toppan Forms Co., Ltd., Osaka University, The University of Tokyo 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015012107
- Aktenzeichen
- EP14829977
- Anmeldetag
- 9. Juli 2014
- Veröffentlichung
- 29. Januar 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786C07C59/185C07F1/10H01L21/288H01L29/423H01L29/49H01L51/05H01L51/30H01L51/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Toppan Forms Co., Ltd.
Osaka University
The University of Tokyo - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Osaka University
Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.
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🇯🇵
University of Tokyo
Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.
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