Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

WO2015013628 Art A2 29. Januar 2015

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015013628
Aktenzeichen: EP14830303
Anmeldetag: 25. Juli 2014
Veröffentlichung: 29. Januar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/16H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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