Semiconductor element substrate, and method for producing same

WO2015019540 Art A1 12. Februar 2015

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015019540
Aktenzeichen: EP14834387
Anmeldetag: 26. Juni 2014
Veröffentlichung: 12. Februar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/761H01L21/22H01L21/265H01L29/74H01L29/747

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.804 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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