Method for producing metal oxide film and method for producing transistor

WO2015019717 Art A1 12. Februar 2015

Anmelder: Nikon Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015019717
Aktenzeichen: EP14833923
Anmeldetag: 18. Juni 2014
Veröffentlichung: 12. Februar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C01B13/32C01F7/30C01G9/02H01L21/283H01L21/288H01L21/316H01L21/768H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nikon Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nikon

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio. Nikon entwickelt optische Geräte und Präzisionstechnik, darunter Kameras, Objektive, Mikroskope sowie Lithografie- und Messsysteme für die Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von