Silicon carbide semiconductor substrate, method for producing same, and method for producing silicon carbide semiconductor device

WO2015019733 Art A1 12. Februar 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015019733
Aktenzeichen: EP14833867
Anmeldetag: 25. Juni 2014
Veröffentlichung: 12. Februar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/205H01L21/265H01L21/336H01L29/06H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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