High-withstand-voltage semiconductor device, and production method therefor

WO2015019797 Art A1 12. Februar 2015

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015019797
Aktenzeichen: EP14835000
Anmeldetag: 11. Juli 2014
Veröffentlichung: 12. Februar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/12H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Fuji Electric Co., Ltd.
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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