Method for producing silicon carbide semiconductor device

WO2015020219 Art A1 12. Februar 2015

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015020219
Aktenzeichen: EP14834241
Anmeldetag: 8. August 2014
Veröffentlichung: 12. Februar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L29/12H01L29/41H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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