Group-iii nitride semiconductor epitaxial substrate, group-iii nitride semiconductor light-emission element, and production method for these
WO2015020233
Art A1
12. Februar 2015
Anmelder: DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015020233
- Aktenzeichen
- EP14835270
- Anmeldetag
- 6. August 2014
- Veröffentlichung
- 12. Februar 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205H01L33/12H01L33/32H01S5/343
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- DOWA Electronics Materials Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
DOWA Electronics Materials
DOWA Electronics Materials ist ein japanisches Unternehmen der DOWA-Gruppe für elektronische Werkstoffe und Metallpulver. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Fertigungstechnik, ergänzt durch anorganische Chemie und Metallurgie. Anmeldungen reichen von 2001 bis in die Gegenwart.
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