Improved hard mask for source/drain epitaxy control
WO2015021188
Art A1
12. Februar 2015
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015021188
- Aktenzeichen
- EP14834553
- Anmeldetag
- 6. August 2014
- Veröffentlichung
- 12. Februar 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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