Memory cell with retention using resistive memory

WO2015023290 Art A1 19. Februar 2015

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015023290
Aktenzeichen: EP13891550
Anmeldetag: 16. August 2013
Veröffentlichung: 19. Februar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/41H04L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Nachrichtentechnik & Telekommunikation

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