Method for extracting time constant of gate dielectric layer trap of semiconductor device

WO2015024365 Art A1 26. Februar 2015

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015024365
Aktenzeichen: EP14838066
Anmeldetag: 8. Januar 2014
Veröffentlichung: 26. Februar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

Peking University ist eine chinesische Eliteuniversität in Peking mit breiter Forschung und Patenten in zahlreichen Technologiefeldern, unter anderem Biotechnologie und Materialwissenschaften.

639 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von