Verfahren zum Durchtrennen von Substraten und Halbleiterchip

WO2015024786 Art A1 26. Februar 2015

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015024786
Aktenzeichen: EP14750191
Anmeldetag: 6. August 2014
Veröffentlichung: 26. Februar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/78H01L33/00B23K26/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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