Oxide semiconductor substrate and schottky barrier diode

WO2015025499 Art A1 26. Februar 2015

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015025499
Aktenzeichen: EP14837818
Anmeldetag: 8. August 2014
Veröffentlichung: 26. Februar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/47H01L29/06H01L29/22H01L29/861H01L29/868H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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