Tunnelling field-effect transistor and preparation method therefor

WO2015027676 Art A1 5. März 2015

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015027676
Aktenzeichen: EP14840039
Anmeldetag: 8. Januar 2014
Veröffentlichung: 5. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/417H01L29/423H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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