Etching method, manufacturing method for lsi device, and 3d-integrated lsi device manufacturing method
WO2015029092
Art A1
5. März 2015
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015029092
- Aktenzeichen
- EP13892556
- Anmeldetag
- 2. September 2013
- Veröffentlichung
- 5. März 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/306H01L21/304H01L21/3205H01L21/768H01L23/522
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
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