Semiconductor structure in which film including germanium oxide is provided on germanium layer, and method for manufacturing semiconductor structure

WO2015029535 Art A1 5. März 2015

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015029535
Aktenzeichen: EP14840446
Anmeldetag: 6. Juni 2014
Veröffentlichung: 5. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/324H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

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Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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