Method for manufacturing wide band gap semiconductor device, method for manufacturing semiconductor module, wide band gap semiconductor device and semiconductor module

WO2015029635 Art A1 5. März 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015029635
Aktenzeichen: EP14839683
Anmeldetag: 17. Juli 2014
Veröffentlichung: 5. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336G01R31/26G01R31/28H01L21/52H01L25/07H01L25/18H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.193 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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