Seed for metal dichalcogenide growth by chemical vapor deposition

WO2015031461 Art A1 5. März 2015

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015031461
Aktenzeichen: EP14840907
Anmeldetag: 27. August 2014
Veröffentlichung: 5. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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