Silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, silicon carbide-growing device, and member for silicon carbide-growing device
WO2015033699
Art A1
12. März 2015
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015033699
- Aktenzeichen
- EP14841630
- Anmeldetag
- 25. Juli 2014
- Veröffentlichung
- 12. März 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/36C23C16/42C30B25/16H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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