Method for producing gallium nitride crystal

WO2015033975 Art A1 12. März 2015

Anmelder: Dexerials Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015033975
Aktenzeichen: EP14841785
Anmeldetag: 3. September 2014
Veröffentlichung: 12. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C01B21/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Dexerials Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Dexerials

Japanischer Hersteller elektronischer Komponenten und optischer Materialien mit Sitz in Tokio, 2012 als Ausgründung aus Sony Chemical hervorgegangen.

964 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik

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