Etch process for reducing directed self assembly pattern defectivity using direct current superpositioning

WO2015034600 Art A1 12. März 2015

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015034600
Aktenzeichen: EP14842668
Anmeldetag: 30. Juli 2014
Veröffentlichung: 12. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: B05D5/00B82Y30/00H01L21/027H01L21/3065H01L27/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Verfahrens- & Trenntechnik

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