Method of etching semiconductor structures with etch gases

WO2015035381 Art A1 12. März 2015

Anmelder: L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2015035381
Aktenzeichen
EP14842643
Anmeldetag
9. September 2014
Veröffentlichung
12. März 2015
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/3065
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Air Liquide

Französischer Konzern für Industriegase und medizinische Gase, gegründet 1902 auf Basis des Luftverflüssigungsverfahrens von Georges Claude. Beliefert Industrie, Gesundheitswesen und Elektronikfertigung mit Gasen und Anlagentechnik.

2.774 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen