Method of etching semiconductor structures with etch gases
WO2015035381
Art A1
12. März 2015
Anmelder: L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015035381
- Aktenzeichen
- EP14842643
- Anmeldetag
- 9. September 2014
- Veröffentlichung
- 12. März 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Air Liquide
Französischer Konzern für Industriegase und medizinische Gase, gegründet 1902 auf Basis des Luftverflüssigungsverfahrens von Georges Claude. Beliefert Industrie, Gesundheitswesen und Elektronikfertigung mit Gasen und Anlagentechnik.
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