Composition for forming inorganic film for multilayer resist process, and pattern formation method

WO2015037398 Art A1 19. März 2015

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015037398
Aktenzeichen: EP14844283
Anmeldetag: 18. August 2014
Veröffentlichung: 19. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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