Method of integrating select gate source and memory hole for three-dimensional non-volatile memory device

WO2015038246 Art A2 19. März 2015

Anmelder: SanDisk Technologies, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015038246
Aktenzeichen: EP14750118
Anmeldetag: 25. Juli 2014
Veröffentlichung: 19. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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