Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

WO2015038466 Art A1 19. März 2015

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015038466
Aktenzeichen: EP14844185
Anmeldetag: 8. September 2014
Veröffentlichung: 19. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H03K17/16H03K19/003

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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