Method for atomic layer deposition

WO2015038919 Art A1 19. März 2015

Anmelder: STC.UNM 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015038919
Aktenzeichen: EP14844897
Anmeldetag: 12. September 2014
Veröffentlichung: 19. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455C23C16/52

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: STC.UNM
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Stc.unm

STC.UNM ist die Technologietransfergesellschaft der University of New Mexico in den USA. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik, Pharma-/Biotechnologie und Mess-, Prüf- sowie Halbleitertechnik. Die Anmeldungen von 2001 bis 2020 reichen von Isotopentrennverfahren bis zur elektrischen Impedanzspektroskopie.

299 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von