Ti-igbt device and manufacturing method thereof

WO2015039274 Art A1 26. März 2015

Anmelder: Jiangsu Cas-IGBT Technology Co., Ltd, Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015039274
Aktenzeichen: EP13893969
Anmeldetag: 17. September 2013
Veröffentlichung: 26. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/331H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Jiangsu Cas-IGBT Technology Co., Ltd
Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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