Semiconductor device, and manufacturing method for same

WO2015041217 Art A1 26. März 2015

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, National Institute Of Advanced Industrial Science, Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015041217
Aktenzeichen: EP14845395
Anmeldetag: 16. September 2014
Veröffentlichung: 26. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/318H01L21/336H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
National Institute Of Advanced Industrial Science
Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.642 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von