Method and structure for reducing the propagation of cracks in epitaxial films formed on semiconductor wafers

WO2015041763 Art A1 26. März 2015

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015041763
Aktenzeichen: EP14752717
Anmeldetag: 5. August 2014
Veröffentlichung: 26. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/20C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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