Vertical field-effect transistor device having a bypass diode

WO2015042147 Art A1 26. März 2015

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015042147
Aktenzeichen: EP14776974
Anmeldetag: 17. September 2014
Veröffentlichung: 26. März 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/08H01L29/10H01L29/16H01L29/47

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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