Single Event Transient-Resistant Cmos Circuit

WO2015043217 Art A1 2. April 2015

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015043217
Aktenzeichen: EP14847948
Anmeldetag: 28. Mai 2014
Veröffentlichung: 2. April 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H03K19/0948

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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