Insulated gate semiconductor device

WO2015045531 Art A1 2. April 2015

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015045531
Aktenzeichen: EP14849168
Anmeldetag: 25. Juni 2014
Veröffentlichung: 2. April 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H02M1/08H02M1/00H02M7/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik

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