Method for manufacturing semiconductor device

WO2015045617 Art A1 2. April 2015

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015045617
Aktenzeichen: EP14848228
Anmeldetag: 31. Juli 2014
Veröffentlichung: 2. April 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/288H01L21/28H01L21/285H01L29/417H01L29/423H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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