Method for producing metal oxide film, metal oxide film, thin-film transistor, display device, image sensor, and x-ray sensor

WO2015045620 Art A1 2. April 2015

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015045620
Aktenzeichen: EP14847282
Anmeldetag: 1. August 2014
Veröffentlichung: 2. April 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/368H01L21/336H01L27/144H01L27/146H01L29/786H01L51/50

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

21.764 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von