Silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device provided with silicon carbide semiconductor substrate

WO2015045652 Art A1 2. April 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015045652
Aktenzeichen: EP14849850
Anmeldetag: 11. August 2014
Veröffentlichung: 2. April 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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