Elimination Of Basal Plane Dislocations in Post Growth Silicon Carbide Epitaxial Layers By High Temperature Annealing While Preserving Surface Morphology

WO2015048445 Art A1 2. April 2015

Anmelder: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015048445
Aktenzeichen: EP14847308
Anmeldetag: 26. September 2014
Veröffentlichung: 2. April 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B15/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Government of the United States of America As Represented By the Secretary of the Navy

Dieser Anmelder steht für Patente der US-Marine, angemeldet über die Regierung der Vereinigten Staaten. Das Patentportfolio deckt breit Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Optik- und Fototechnik für militärische und maritime Forschung ab. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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