Group-iii-nitride composite substrate, production method therefor, laminated group-iii-nitride composite substrate, and group-iii-nitride semiconductor device and production method therefor

WO2015053127 Art A1 16. April 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015053127
Aktenzeichen: EP14851614
Anmeldetag: 30. September 2014
Veröffentlichung: 16. April 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/20H01L21/329H01L21/338H01L29/06H01L29/47H01L29/778H01L29/812H01L29/861H01L29/868H01L29/872H01L33/30

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Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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