Mos-based power semiconductor device having increased current carrying area and method of fabricating same
WO2015053805
Art A1
16. April 2015
Anmelder: Purdue Research Foundation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015053805
- Aktenzeichen
- EP14852499
- Anmeldetag
- 10. Februar 2014
- Veröffentlichung
- 16. April 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Purdue Research Foundation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Purdue Research Foundation
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