Electrostatic discharge protection device structures and methods of manufacture
WO2015056040
Art A1
23. April 2015
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015056040
- Aktenzeichen
- EP13831859
- Anmeldetag
- 18. Oktober 2013
- Veröffentlichung
- 23. April 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/87H01L29/06H01L23/29H01L29/66H01L21/322H01L29/74
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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