N-type aluminum nitride single-crystal substrate and vertical nitride semiconductor device

WO2015056714 Art A1 23. April 2015

Anmelder: Tokuyama Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015056714
Aktenzeichen: EP14854124
Anmeldetag: 15. Oktober 2014
Veröffentlichung: 23. April 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38H01L21/20H01L21/203H01L21/205H01L29/201H01L29/47H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokuyama Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen